随英特尔近期正式发表第 12 代 Core 处理器（代号 Alder Lake），意味 2021 年是DDR5 内存启航元年，但目前全球芯片仍处于短缺，不利于主流内存 DDR4 退场加速汰换成DDR5，还有全新设计带来内存成本垫高，故至少仍有1～2年过渡期，全球市场才有机会普及导入。

       DDR4&DDR5外观差异：

       从DDR5全新设计面来看效能精进与改变：

       优势分析：

       崭新电源架构：
       1、持续降低工作电压也是历代JEDEC SDRAM的传统，从20年前DDR 2.5V一路调降到DDR5 1.1V，让内存运作「理论上」更节能省电。
       2、但当DDR5基础工作电压降到1.1V时，意味更小讯号容限，所以过去由主板负责的电源管理功能，就转移到内存模块本身，因此DDR5会多一颗PMIC，直接控制内存电源，提供更佳讯号辨识能力。
       3、不过多了这颗PMIC也就垫高成本，都将转嫁给制造商成本和消费者账单，以及更高的缺料风险。

       性能倍增：
       Bank意指DRAM颗粒可单独运作的储存单元。DDR5采用八个Bank群组而成的32 Bank，是DDR4两倍。DRAM因储存原理是需定时更新（Refresh）数据的电容，DDR4与前代更新时无法执行其他操作，但DDR5可透过Same BankRefresh （REFsb）命令，允许系统更新某些Bank时，可存取其他Bank的数据。换言之，DDR5存取可用性起码是DDR4两倍。

       单模块双信道：
       DDR5另一个规格面重大变化（也许是非常重要者），在于将双信道实作于单模块。过去DDR都是72位（64位数据＋8位ECC），但DDR5变成两组40位（32位数据＋8位ECC）。两个较小单独信道可提高内存存取效率，特别是缩短存取延迟。分而治之的结构，也可便于提高讯号完整性。

       更高内存带宽：
       一条DDR5模块可同时满足两个64 Byte快取区块的需求，是DDR4两倍。

       更高数据可靠度：
       为了强化稳定性，DDR5支持晶粒内建除错（On-Die ECC）机制，每128位数据就附带8位除错码。不过并不能取代标准ECC模块，只能说确保容量更大的DDR5颗粒可维持和过去同等级的数据可靠度。

       根据以上总结，DDR5设计与效能差异，兆科导热材料生产厂家推荐的材料是：导热硅胶片，导热绝缘片。

       TIF100系列是一款颜色为各色的导热硅胶片，导热率为1.5W/mk、介电常数为5.5 MHz的导热绝缘产品 。它不仅在5G时代应用，在新能源动力锂电池材料中也有应用领域。它的热传导界面材料是填充发热器件和散热片或金属底之间的空气，新能源之间的空气间隙，它们的柔性、弹性特征使其能够用于覆盖非常不平整的表面。它在 -40 To 160 ℃的温度范围内使用，它同时也满足UL94V0等级阻燃要求。

       产品特性：
       良好的热传导率: 1.5W/mK；
       带自粘而无需额外表面粘合剂；
       高可压缩性,柔软兼有弹性,适合于在低压力应用环境；
       可提供多种厚度选择；

       TIS100-01系列导热绝缘片产品是效能高的绝缘产品，它也具备导热性能，它是将绝缘性的硅胶基材加入到导热材料当中去，从而达到既能绝缘又能导热的效果。

       产品特性：
       良好的热传导率: 0.8W/mK-1.2W/mK；
       良好的电介质强度；
       高压绝缘，低热阻；
       抗撕裂，抗穿刺。