TIF100-80-11F — Silicone thermal pads (8 W/m·K nominal) — gallery view 1 of 5

TIF100-80-11F シリコーンサーマルパッド

絶縁破壊電圧 (V/mm)
≥5500
密度 (g/cm³)
3.45
誘電率 @1MHz
4.5
難燃性等級
V-0
硬度 (Shore OO)
60
推奨動作温度…
-40~200
ダウンロード TIF100-80-11F データシート(PDF)
概要

TIF100-80-11F — 製品概要

TIF®100-80-11F シリーズは、最高レベルの冷却要件を満たし、優れた組み立て作業性を維持するように設計された、ハイエンドの圧縮性サーマルパッドです。革新的な材料配合により、超高熱伝導性と中程度の硬度という理想的な組み合わせを実現しました。このユニークな性能バランスにより、超高熱流束密度によってもたらされる冷却の課題に効率的に対応できると同時に、良好な機械的強度と圧縮性を提供し、加工と取り付けが容易になっています。高電力密度電子デバイスに対し、卓越した熱性能と高い信頼性を両立させた、信頼性の高いインターフェース材料ソリューションを提供します。

特長

TIF100-80-11F — 特長

  • 優れた熱伝導性

  • 優れた柔軟性と充填性

  • 追加の接着剤を必要としない自己粘着性

  • 良好な絶縁性能

技術仕様

TIF100-80-11F — データシート仕様

以下の値は公式データシート (PDF: TIF100-80-11F_Data-Sheet.pdf)から転記したものです。承認およびロット別のCoAには、リンク先のPDFをご利用ください。

アプリケーションエンジニアリングサポートを依頼する
TIF100-80-11Fデータシート特性表
項目値(代表値/記載値)測定法/備考
カラーダークグレー目視
構造セラミック充填シリコンエラストマー
厚さ範囲0.010~0.020インチ (0.25~0.50 mm) / 0.030~0.200インチ (0.75~5.00 mm)ASTM D374
硬度 (Shore OO)60ASTM D2240
密度 (g/cm³)3.45ASTM D792
推奨動作温度 (°C)-40~200
絶縁破壊電圧 (V/mm)≥5500ASTM D149
誘電率 @1MHz4.5ASTM D150
体積抵抗率 (Ω·cm)>1.0×10¹²ASTM D257
熱伝導率 (W/m·K)8.0ASTM D5470 / ISO22007
難燃性等級V-0UL94 (E331100)

* ご注文書に記載されているPDF改訂版の値と照合してください。

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FAQ

TIF100-80-11F — よくあるご質問

他社製TIMからの置き換えやスタック構成の見直しが必要ですか?図面をお送りください。アプリケーション担当が迅速に対応します。

エンジニアに相談する
TIF100-80-11Fの公称熱伝導率はどのくらいですか?

お客様のワークブックには、公称の厚み方向熱伝導率が 8 W/m·K と記載されています。測定値は圧力、ギャップ、および固定具によって異なりますので、技術資料を参考にしてください。

ZiitekはTIF100-80-11Fをダイカット、またはカスタムの厚さで供給できますか?

はい。DXF/DWG形式の外形図と積層高さをお送りください。シリコンサーマルパッド部品はZiitekで日常的に加工されており、公差は厚さと形状によって異なります。

TIF100-80-11Fの技術資料はどこにありますか?

技術資料が利用可能な場合は、このページからダウンロードしてください。お客様のバージョンが異なる場合は、アプリケーションエンジニアリングが照合できるよう、RFQのファイル名を指定してください。

TIF100-80-11FはRoHSに準拠していますか?

Ziitekは、すべてのTIM製品ラインでRoHS志向の配合を目指しています。監査のためにはコンプライアンスの項目を引用し、追加の地域別化学物質リストが必要な場合はお知らせください。

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