TIF800QE — Silicone thermal pads (13 W/m·K nominal) — gallery view 1 of 5

TIF800QE シリコーンサーマルパッド

絶縁破壊電圧 (V/mm)
≥5500
密度 (g/cm³)
3.5
誘電率 @1MHz
8.0
難燃グレード
V-0
硬度 (Shore OO)
35~55
推奨動作温度…
-40~200
ダウンロード TIF800QE データシート(PDF)
概要

TIF800QE — 製品概要

TIF®800QE Seriseは、最高レベルの冷却要件を満たし、優れた組み立て作業性も確保するハイエンドの圧縮可能なサーマルパッドです。革新的な材料配合により、超高熱伝導率と適度な硬度の理想的な組み合わせを実現しました。この独自の性能バランスにより、非常に高い熱流束によってもたらされる冷却の課題に効率的に対処できるだけでなく、良好な機械的強度と圧縮性も備えているため、製造と取り付けが容易です。高電力密度の電子機器に、卓越した放熱性能と高い信頼性の両方を備えた熱伝導材料ソリューションを提供します。

特長

TIF800QE — 特長

  • 優れた熱伝導率

  • 良好な柔らかさと充填性

  • 自己粘着性があり、追加の表面接着剤は不要です

  • 良好な絶縁性能

技術仕様

TIF800QE — データシート仕様

以下の値は公式データシート (PDF: TIF800QE_Data-Sheet.pdf)から転記したものです。承認およびロット別のCoAには、リンク先のPDFをご利用ください。

アプリケーションエンジニアリングサポートを依頼する
TIF800QEデータシート特性表
項目値(代表値/記載値)測定法/備考
グレー目視
構造セラミック充填シリコンエラストマー
厚さ範囲0.020~0.030インチ (0.50~0.75 mm) / 0.040~0.200インチ (1.00~5.00 mm)ASTM D374
硬度 (Shore OO)55 / 35ASTM D2240
密度 (g/cm³)3.5ASTM D792
推奨動作温度 (°C)-40~200
破壊電圧 (V/mm)≥5500ASTM D149
誘電率 @1MHz8.0ASTM D150
体積抵抗率 (Ω·cm)>1.0×10¹²ASTM D257
熱伝導率 (W/m·K)13.0ASTM D5470
熱伝導率 (W/m·K)13.0
難燃性グレードV-0UL94 (E331100)

* ご注文書に記載されているPDF改訂版の値と照合してください。

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型番λ (W/m·K)表示
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FAQ

TIF800QE — よくあるご質問

他社製TIMからの置き換えやスタック構成の見直しが必要ですか?図面をお送りください。アプリケーション担当が迅速に対応します。

エンジニアに相談する
TIF800QE の公称熱伝導率はどのくらいですか?

お客様向けワークブックには、公称の厚さ方向熱伝導率が 13 W/m·K と記載されています。実際の測定値は圧力、ギャップ、および固定方法によって異なります。技術資料を参考にしてください。

Ziitek は TIF800QE をダイカット加工やカスタムの厚さで供給できますか?

はい、可能です。DXF/DWG 形式の外形図と積層高をお送りください。Ziitek では、シリコーンサーマルパッド部品の加工を定常的に行っています。公差は厚さと形状によって異なります。

TIF800QE の技術資料はどこにありますか?

技術資料が利用可能な場合は、このページからダウンロードしてください。お客様のバージョンが異なる場合は、アプリケーションエンジニアリングが照合できるよう、RFQに記載のファイル名を指定してください。

TIF800QEはRoHSに準拠していますか?

Ziitekは、すべてのTIM製品ラインでRoHS志向の配合を目指しています。監査の際はコンプライアンスのブロックを引用し、追加の地域別化学物質リストが必要な場合はお知らせください。

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