作为能源转换与传输的核心器件，IGBT模块的功率范围从几百瓦到几兆瓦。IGBT也广泛应用于工业自动化设备，新能源应用都受益于这些高可靠产品的优异性能，效率以及寿命。

       由于IGBT模组电流越大，开关频率越高，模块热功耗也就越大。IGBT散热好坏将直接影响整机的正常运行工作。一般而言，基于硅器件的电力电子设备须在125℃范围以下工作，IGBT须在150℃以下工作。未来的碳化硅器件可以将其扩展到200℃。电力电子的热管理通常需要使用导热界面材料，将封装连接到散热器，且界面对整体的热阻抗和长期性能起到了至关重要的作用。就可靠性来说，虽然一些传统导热硅脂提供了良好的界面浸润性能，但会出现硅油溢出的情况，从而降低热性能。

       导热相变化材料无论是膏状还是片材，都拥有等同于导热硅脂的界面浸润性能，而且表现出更低的热阻抗，全方面解决大功率IGBT模组的热传导问题，提升IGBT的可靠性。导热相变化具有较高黏性和抗垂流特性，相变后具有更好的界面浸润性但不会溢出，具有更低的界面热阻和长期工作可靠性，保障功率器件和设备稳定运行。

       TIC800G导热相变化产品特性：
       良好的热传导率：5.0 W/m-K；
       高导热性能有助于确保IGBT、CPU等功率器件可靠性；
       0.014℃-in² /W 热阻；
       室温下具有天然黏性, 无需黏合剂；
       流动性好，但不会溢出；
       具有不同的规格，提供多种厚度尺寸选择。

       产品参数表：