TIC800H导热相变材料破解AI算力散热瓶颈
在人工智能飞速发展的时代,高功率AI服务器与芯片承担着越来越复杂的计算任务,散热已成为制约算力提升的关键瓶颈。TIC800H导热相变材料应运而生,凭借创新的材料科学与智能温感特性,为AI硬件提供强有力的散热支持。
TIC800H是一款专为高功率AI服务器与芯片设计的高性能导热相变材料,结合了导热垫片与膏状材料的双重优势。其独特的晶粒定向结构能够紧密贴合GPU、AI加速芯片等器件表面,显著优化热传导路径与效率。当温度超过50℃相变点时,材料智能软化并流动,充分填充芯片界面微间隙,大幅降低接触热阻,有效解决因接触不良导致的局部过热问题。
TIC800H核心特性:
高热导率:7.5W/m·K
低热阻设计
自带粘性,无需额外粘合剂
适用于低压力应用环境
晶粒定向技术,准确优化热路径
TIC800H凭借独特的晶粒定向排列,实现对GPU、AI加速芯片等器件表面的高度贴合,大幅提升导热效率。该技术确保热量能够快速、均匀地从热源导出,显著降低芯片结温,保障硬件在高负荷下的持续稳定运行。
智能相变响应,动态匹配运行状态
当芯片温度上升至50℃以上,TIC800H迅速由固态转变为膏状,流动填充界面缝隙,显著降低热阻。该相变过程可逆,在设备冷却后材料恢复原态,无垂流、无干涸,尤其适用于长期高温循环工况,在维持散热一致性的同时延长材料使用寿命。
专注AI算力硬件,可靠保障
无论是GPU,还是ASIC专用芯片,TIC800H系列皆可应对高热流密度挑战,有效降低芯片温度,提升系统整体可靠性。在减少过热降频风险、延长硬件寿命的同时,为更高算力的实现奠定坚实的散热基础。
TIC800H是一款专为高功率AI服务器与芯片设计的高性能导热相变材料,结合了导热垫片与膏状材料的双重优势。其独特的晶粒定向结构能够紧密贴合GPU、AI加速芯片等器件表面,显著优化热传导路径与效率。当温度超过50℃相变点时,材料智能软化并流动,充分填充芯片界面微间隙,大幅降低接触热阻,有效解决因接触不良导致的局部过热问题。
TIC800H核心特性:
高热导率:7.5W/m·K
低热阻设计
自带粘性,无需额外粘合剂
适用于低压力应用环境
晶粒定向技术,准确优化热路径
TIC800H凭借独特的晶粒定向排列,实现对GPU、AI加速芯片等器件表面的高度贴合,大幅提升导热效率。该技术确保热量能够快速、均匀地从热源导出,显著降低芯片结温,保障硬件在高负荷下的持续稳定运行。
智能相变响应,动态匹配运行状态
当芯片温度上升至50℃以上,TIC800H迅速由固态转变为膏状,流动填充界面缝隙,显著降低热阻。该相变过程可逆,在设备冷却后材料恢复原态,无垂流、无干涸,尤其适用于长期高温循环工况,在维持散热一致性的同时延长材料使用寿命。
专注AI算力硬件,可靠保障
无论是GPU,还是ASIC专用芯片,TIC800H系列皆可应对高热流密度挑战,有效降低芯片温度,提升系统整体可靠性。在减少过热降频风险、延长硬件寿命的同时,为更高算力的实现奠定坚实的散热基础。