灌封絕緣測試:耐壓、絕緣阻抗與含水風險
灌封把導體包起來,也把水氣包在裡面。絕緣阻抗、耐壓與局部放電三種測試回答三個不同問題,而含水、溫度與殘餘電荷會讓同一個樣品量出差兩個數量級的讀數。本文給出各項測試的設定、判據來源、灌封前後與環境試驗後的量測順序,以及一張可以直接寫進規格的六欄驗收表。

先看一個說明性示例。假設一批 400 W 的電源模組在產線末端做例行絕緣電阻測試,量到 8 MΩ。規格寫的是「≥ 100 MΩ」,於是整批被扣下。拆一顆剖切,膠層飽滿、沒有大氣泡、外觀漂亮;再拆一顆,把膠與鋁殼的交界面切開,才看到沿著殼壁有一條 0.1 mm 寬的通道,從出線口一路通到高壓側的銅排。(以上為說明性示例:數值、尺寸與情節都用來說明機制,不代表任何特定客戶、批次或實測紀錄。)
這就是灌封絕緣最典型的失效:不是膠本身絕緣不好,而是膠與別的東西之間有一條路。 而這個 8 MΩ 的讀數之所以值得停下來看,是因為答案早就在裡面了——只是沒有人知道 8 MΩ 相對於 100 MΩ 意味著什麼、也沒有人知道這個數字會隨溫度與吸濕漂多少。
灌封絕緣測試要處理的就是這件事。它與熱阻測試不同:熱是連續的、可計算的,絕緣是離散的、門檻式的——要嘛擋住,要嘛擊穿,中間那一段只有「還能撐多久」的問題。這篇把它拆成三種測試、四類干擾、一個順序,最後收成一張可以直接寫進規格的表。
如果你要的是整體驗證架構而不是單一電性項目,先看導熱材料測試方法:熱阻、可靠度、量產驗證——那是這個主題群的母頁,本文是它「可靠度」那一層裡專講電性絕緣的一支。
為什麼「灌封後打一次耐壓」證明不了絕緣可靠度
耐壓測試(dielectric withstand test,慣稱 hi-pot)的做法是把遠高於工作電壓的電壓加在絕緣兩端一分鐘,看它撐不撐得住。它的優點是快、結論明確、產線好執行;它的問題是它是一種帶應力的抽樣——良品通常不會被摧毀(產線全檢後照樣出貨),但那顆樣品已經被施加接近極限的應力,而且只給你二值結論:通過的那一顆可能已經被削弱,只是還沒到崩潰點;沒通過的那一顆你拿不到「差多少」的資訊。
更關鍵的是,耐壓通過只證明「此刻、在這個電壓下、這一分鐘內沒有擊穿」,它不證明三件事:
- 沒有局部損傷在累積。 膠層裡一個 0.2 mm 的空洞,在耐壓時可能只發生幾次不明顯的局部放電,測試電流跳脫門檻抓不到,但這個空洞已經開始碳化。這條路徑的最終結局是擊穿,只是不在這一分鐘內發生。
- 含水狀態如何。 同一顆模組,出廠當天與在 40 °C/90% RH 放三個月之後,耐壓可能都通過,但絕緣電阻已經掉了一個數量級。耐壓是門檻,不是狀態量。
- 界面有沒有通道。 膠與殼之間的毛細通道在乾燥時電阻很高,耐壓照樣過;一旦吸濕,通道就成了電解質,離子遷移把金屬從高壓側搬到你不想它去的地方。
所以真正的驗證不是「打一次耐壓」,而是用絕緣電阻當狀態量、用耐壓當門檻、用局部放電當早期預警,三個一起看。這三種測試的關係,跟熱驗證裡「熱阻 vs 溫度 vs 壽命」的關係是同構的:一個是體質、一個是當下表現、一個是退化速率。
三種測試各證明什麼,各不能證明什麼
| 測試 | 施加什麼 | 量到什麼 | 證明什麼 | 不能證明什麼 |
|---|---|---|---|---|
| 絕緣電阻(IR) | 直流 100–1000 V(常見 500 V) | 電阻,MΩ/GΩ | 絕緣系統當下的狀態;可做趨勢 | 擊穿電壓有多高;微小空洞的存在 |
| 耐壓(hi-pot) | 交流或直流高壓(常見 1.5–3 kV) | 通過/不通過、跳脫電流 | 絕緣在該電壓下有門檻以上的裕度 | 是否有局部放電在累積;吸濕程度 |
| 局部放電(PD) | 低於擊穿、高於起始電壓 | 視在電荷,pC | 內部空洞、脫層、尖角的早期缺陷 | 整體絕緣電阻高低;表面汙染程度 |
三者的量級差很遠:絕緣電阻動輒 10⁸–10¹² Ω,耐壓講的是 kV/mm 的介電強度,局部放電講的是幾個 pC 的電荷。把它們當成同一件事的三種說法,是灌封驗證最常見的認知錯誤——這也是為什麼很多規格書寫了「耐壓 3 kV」,卻對「環境試驗後 IR 掉到 8 MΩ 這種量級」毫無解釋能力。
絕緣這個詞在電氣工程裡本來就同時指「材料屬性」與「系統能力」:材料的體積電阻率與介電強度是屬性,模組能擋住多少伏是系統能力,而系統能力由材料、幾何、界面、清潔度、含水率共同決定。灌封只是把其中兩個變數(幾何與界面)固定下來,並沒有讓其他變數消失。
想看這個主題群其他驗證項目的分工,可以從導熱材料驗證的 hub 進去:熱阻、熱循環、油析揮發、量產一致性各自有一篇,本文只負責電性這一軸。
絕緣電阻怎麼量才有效:電壓、時間、極化與表面漏電
絕緣電阻(insulation resistance,口語也稱絕緣阻抗)的定義很單純:施加直流電壓,量流過去的電流,用歐姆定律換算。絕緣電阻測試的難點不在定義,在「什麼時候讀那個數」。
第一,電壓要夠高才有鑑別力。 500 VDC 是電子模組的慣例,因為它能把薄弱的導電路徑(例如離子汙染形成的電化學遷移路徑)壓出可測的漏電流,又不至於在良品上造成損傷。用 50 V 去量,同一顆模組可能量到 2 GΩ,看起來完美,實際上只是電壓不足以驅動那條潮濕的通道。
第二,要等到電流穩定。 施加直流電壓的瞬間,電流由三個成分疊加:電容充電電流(µs–ms 級)、吸收電流(極化,秒到分鐘級)、真正的洩漏電流(穩態)。規範慣例是加壓 60 秒後讀值,就是為了讓前兩項衰減掉。以一個 10 nF 的模組、100 MΩ 的絕緣為例,RC 時間常數是 1 秒,看起來 60 秒綽綽有餘——但極化電流的衰減比 RC 慢得多,尤其在高填料、含無機粉體的灌封膠裡。
第三,表面漏電會毀掉整個讀數。 從高壓端子沿著膠面爬到低壓端子的那條路,電阻可能只有幾百 MΩ,卻與你要量的體積電阻並聯。量到的值永遠小於真實值,而且會隨環境濕度大幅漂移。對策是保護環(guard):在兩個電極之間加一圈接地環,把表面電流引開,不讓它進入量測迴路。沒有 guard 的夾具,在 80% RH 的車間裡量同一個樣品,讀數可以差一個數量級。
第四,看趨勢而不是看單點。 把 1 分鐘與 10 分鐘的讀數相除,得到極化指數(PI)。這個指標原本用於旋轉電機(IEEE 43 的慣例:PI ≥ 2 為良好、< 1.5 需懷疑吸濕或汙染),用在灌封模組上沒有強制標準,但邏輯相通:乾燥、潔淨的絕緣,電阻會隨加壓時間上升(極化);吸濕或汙染的絕緣,電阻幾乎不變甚至下降。 一顆 PI 只有 1.1 的模組,就算 1 分鐘讀數有 500 MΩ,也該被挑出來。
換算成漏電流比較好懂:500 V 下,100 MΩ 對應 5 µA,2 MΩ 對應 250 µA,1 GΩ 對應 0.5 µA。從 5 µA 到 500 µA 是兩個數量級——這正是吸濕可以造成的變化幅度,也是為什麼「8 MΩ 只是稍微低於 100 MΩ」這種說法不成立:它代表漏電流已經是良品的 12 倍以上。

圖說:IR 量的是狀態,不是門檻;同一個樣品在 25 °C 與 85 °C 下可以是兩個完全不同的數字。
耐壓測試的設定:AC 或 DC、升壓率、跳脫電流
耐壓測試(hi-pot)的設定比 IR 更容易被隨手填。四個參數決定它有沒有效:
測試電壓。 型式試驗電壓不是用公式算出來的,而是先查表:標準按「絕緣類型(基本/附加/強化)× 額定工作電壓」給定數值,實際採用的電壓還要由產品的安全評估確認——IEC 62368-1 一類標準的絕緣配合要求就是這個結構。常被引用的「工作電壓的兩倍再加 1000 V」(2U + 1000)出自已撤銷的 IEC 60950-1,而且它是基本絕緣的基準,不是強化絕緣的算法;把它當成 IEC 62368-1 對強化絕緣的要求,算出來的電壓會明顯偏低,就算通過也不能用來宣稱符合安規。
交流與直流也不能互換:交流講峰值、直流講恒定值,直流等效要乘 √2(約 1.414);只有當安全評估給定的是交流值時,這個換算才有意義——例如交流 1500 VAC 對應約 2121 VDC,而這個 2121 只綁在那個 1500 VAC 的條件上,不能拿來反推絕緣等級。這一步弄錯,就會出現「用 1500 VDC 打 250 V 工作電壓」這種看起來很兇、實際上比規範還鬆的情況。
施加時間。 型式試驗(type test)慣例 1 分鐘;產線全檢(routine test)可以縮短到 1–5 秒,但電壓不能降低,而且縮短時間後只能宣稱「產線篩選」,不能宣稱「符合型式試驗」。這兩件事在客戶稽核時經常被混為一談。
升壓率與跳脫電流。 升壓太快會在容性樣品上灌入大電流,誤跳脫;太慢則拉長產線節拍。常見做法是 500 V/s 量級的線性升壓,跳脫電流設在 5–10 mA 並配合產品的電容值調整。跳脫電流設得太大,等於把測試變成「只要不爆炸就算過」——一條 100 µA 的漏電路徑在 10 mA 的門檻下完全看不出來。
AC 還是 DC。 交流測試更接近實際應力(真實世界是交流),而且對含氣隙的缺陷更敏感(氣隙在交流下會因介質損耗而發熱、加速劣化);直流測試的優點是對容性樣品充電電流小、設備便宜、不會因介質損耗而誤判,但它不會在氣隙裡產生持續的局部放電。所以:驗證用 AC,產線篩選可用 DC,但兩者的判據不能互換。
一個常被忽略的細節:耐壓測試後,樣品上的殘餘電荷必須放掉,否則接著量 IR 會得到偏高的讀數(殘餘電壓與測試電壓同向)。順序上,耐壓永遠排在 IR 之後,原因見 §7。
含水是絕緣劣化的主因:三條入侵路徑
水對絕緣的破壞不是「導電」這麼簡單,它是三個層次同時發生:
第一層,體積吸濕。 高分子材料都會吸水,平衡含水率從 0.05% 到 0.5% 不等(環氧通常高於加成型矽膠,但矽膠的透濕率高)。水的介電常數在低頻下約 80,而高分子只有 3–5;因此吸濕會同時造成兩件事:介電常數上升(電容變大、充電電流變大、讀數更慢穩定)與離子導電通道形成(體積電阻率下降)。經驗上,吸濕可以讓體積電阻率掉兩到三個數量級;同一幾何下 R = ρ · t / A,IR 也會跟著掉同樣的量級,實測常因表面路徑並聯與量測窗口而略小於體積項的變化——前面「5 µA 變 500 µA」取的就是這個量級。
第二層,界面毛細。 這是灌封特有的路徑。膠與金屬、膠與 PCB、膠與元件本體之間如果有脫層,就形成一條寬度可能只有幾十微米的縫。縫裡的毛細作用會把水吸進去並留住,形成一條「液態導電通道」。這條通道的電阻遠低於膠體本身,而且它沿著高壓側到低壓側的整條路徑都存在——這正好對應開頭示例裡那條 0.1 mm 的通道。脫層的成因有三個:固化收縮、熱膨脹失配、以及灌封前表面處理不當(脫模劑、助焊劑殘留、氧化層)。矽膠與環氧在這件事上的差異,在矽膠與環氧灌封膠的取捨裡有完整的機制對比。
第三層,凝露與呼吸。 就算外殼完全密封,出廠時封在裡面的空氣也帶著水氣;日夜溫差讓它反覆凝結在溫度最低的金屬件上。這一層灌封膠解決不了,要靠結構——把死體積灌滿、或用透氣膜平衡壓力。IP 防護等級的第二位數字講的是液態水,不是水氣:IP68 可以擋住浸水,卻完全不保證殼內不凝露。而 IP 等級本身也是一組議定條件(水深、時間、溫差),不是絕對值。
三條路徑的對策不同:體積吸濕靠配方與厚度(延長擴散路徑),界面毛細靠表面處理與機械結構(倒扣、擋牆、避免尖角),凝露靠灌滿與透氣設計。把三者都歸給「膠要防水」,就會買到一支防水很好、卻在界面脫層上完全不及格的膠。

圖說:真正讓 IR 掉下來的是這一條縫,不是膠體本身;它沿著界面走,外觀完全看不出來。
溫度和幾何也會讓同一個樣品量出三個答案
同一顆模組,三個人量出三個數,多數時候不是儀器壞了,而是條件沒寫。
溫度。 絕緣電阻對溫度極敏感,工程慣例是「每上升 10 °C,IR 約減半」。以 25 °C、100 MΩ 為基準:45 °C 約 25 MΩ,65 °C 約 6.25 MΩ,85 °C 只剩 1.56 MΩ。也就是說,在 85 °C 的環境艙裡量到 1.5 MΩ,可能完全正常;而如果有人拿這個數字去對「≥ 100 MΩ」的規格,就會誤判成不良。所以判據一定要綁溫度,或做溫度修正後再比。
厚度與幾何。 體積電阻 R = ρ · t / A,厚度加倍電阻加倍,但耐壓不是這樣:介電強度講的是 kV/mm,薄層的擊穿場強通常高於厚層(厚度效應),所以「膠層越厚越安全」只在同一材料、同一製程下大致成立,不能線性外推。反過來說,薄膠層的缺陷容忍度更差:同樣一個 0.1 mm 的空洞,在 0.5 mm 的膠層裡佔了 20%,在 5 mm 的膠層裡只佔 2%。
空洞與尖角。 氣泡的介電常數是 1,遠低於膠的 3–5,因此空洞內部的電場會被放大——放大率由形狀決定:扁平的脫層型空洞(貼著銅排或殼壁那一種)約放大 3–5 倍,球形氣泡只有 1.3 倍左右。一個位於高壓銅排邊緣的扁平空洞,內部場強可能早就超過空氣的擊穿場強(約 3 kV/mm),於是產生局部放電——每次放電都把孔壁的聚合物打成碳化物,孔壁變導電,等效於空洞變大、場強更高,形成正回饋。這條路徑的終點是擊穿,但過程可以長達數千小時。所以空洞不是外觀問題,是壽命問題;抽真空脫泡的作法見灌封真空脫泡。
爬電距離與電氣間隙。 這兩個是幾何判據:爬電距離是沿絕緣表面的最短距離,電氣間隙是空間中的最短距離。灌封會把「空間間隙」填掉,但不會把「表面爬電」消滅——膠面本身就是一個表面,而且在汙染與吸濕後會導電。所以灌封件的爬電距離要沿著膠面算,不能假設「灌了膠就沒有表面路徑」。這條規則在墊片類產品上同樣成立,絕緣導熱片的耐壓與爬電距離講的是同一組幾何約束。材料的相比漏電起痕指數(CTI,IEC 60112)決定這個表面在汙染下能撐多久:CTI ≥ 600 V 屬材料群 I,400–599 V 屬 II,175–399 V 屬 IIIa。
把測試排成順序:灌封前、灌封後、環境試驗後
絕緣驗證最容易做錯的地方不是某一項測試,而是順序。原則是「非破壞性在前、破壞性在後」,而且每一站都要留同一個樣品的 baseline。
| 站別 | 測什麼 | 為什麼在這一站 | 注意 |
|---|---|---|---|
| S0 灌封前 | 裸板的 IR、hi-pot(低壓版)、清潔度(離子汙染) | 建立 baseline;分清「膠的問題」與「板子的問題」 | 助焊劑殘留會讓 S0 就偏低 |
| S1 灌封後(固化完成) | IR(500 VDC / 60 s)、PI、hi-pot | 抓固化不完全、配比失準、大空洞 | 固化不足的膠 IR 會低且 PI 接近 1 |
| S2 環境試驗後 | IR、hi-pot、PD(必要時剖切) | 抓吸濕、脫層、熱膨脹造成的裂縫 | 必須在出艙後固定時間內完成,否則會回乾 |
| S3 破壞性 | 剖切、染色滲透、SEM | 確認失效位置與機制 | 一定排最後,一剖就沒了 |
S2 的量測窗口必須寫進規格。 85 °C/85% RH 出艙後,樣品在車間裡放兩小時就會回乾,IR 回升,於是「環境試驗後 IR 正常」變成一個假陽性。要注意的是,標準的預設程序與這個目的正好相反:IEC 60068-2-78 的流程是先回復、再做最終量測(Recovery procedure → Measurements/Final measurements),不是出艙就量。所以「出艙後 30 分鐘內完成電性量測」是為了抓吸濕而刻意提前的自訂窗口,不是業界慣例——要用它,就得在規格裡寫明窗口長度,並記錄當下的環境溫濕度;做不到即時量測,就必須把樣品密封保存。這種「加速試驗後立刻量」的邏輯,與加速老化的一般原則一致:加速的是時間,不是因果,量測窗口本身就是條件的一部分(而窗口寫在自家規格裡,稽核時才說得出依據)。
環境試驗的條件怎麼挑。 85/85(85 °C、85% RH、加偏壓)1,000 小時是最常見的門檻,適合當驗收;若要縮短時間,HAST(130 °C/85% RH、加壓)可以把 1,000 小時壓到 96–200 小時,但它的失效機制偏向水解,與實際現場的日夜循環不完全等價。熱循環(−40 ↔ 125 °C)抓的是熱膨脹失配造成的界面裂縫,與吸濕是兩個獨立機制,不能互相替代——溫區、循環數與判據的排法見導熱材料熱循環測試。
樣品數與抽樣。 絕緣失效是離散事件,三個樣品全過不能證明什麼。實務做法是把「驗證樣品」(每種條件 5–10 顆,做趨勢與剖切)與「產線全檢」(100% IR)分開:前者回答「這個設計能不能活」,後者回答「這一顆有沒有做壞」。兩者的判據、樣品數與紀錄方式都不該共用一套表單。樣品階段的完整清單可以照導熱材料樣品驗證清單逐項對。

圖說:出艙後的量測窗口只有幾十分鐘;放回車間回乾,就得到一個假陽性。
驗收判據表:寫進規格的六個欄位
多數規格書只寫「絕緣電阻 ≥ 100 MΩ」,這句話缺了五個必要條件,等於沒寫。完整的一行應該有六個欄位:
| 欄位 | 範例 | 為什麼不能省 |
|---|---|---|
| 量什麼 | 高壓端子-外殼之間的絕緣電阻 | 「絕緣電阻」不是一個點,是一對電極 |
| 條件 | 500 VDC,加壓 60 s,guard 接地,23 ± 2 °C/50 ± 10% RH | 溫度與濕度不寫,讀數無法比較 |
| 判據 | ≥ 100 MΩ(廠內慣例);或 ≥ 2 MΩ(家電類安規常見門檻) | 門檻來自分類,不是憑感覺 |
| 抽樣 | 驗證 5 顆/產線 100% | 驗證與篩選的目的不同 |
| 時點 | 灌封後 24 h;環境試驗出艙後 30 min 內(規格自訂窗口;標準預設是回復後才量) | 時點決定讀數 |
| 失敗處置 | 隔離、剖切、8D | 沒有處置條款的判據不會被執行 |
幾個常見門檻的來源要分清楚:≥ 2 MΩ 是家電類安規(IEC 60335-1 一類)在 500 VDC 下對基本絕緣的典型要求;≥ 100 MΩ 是電子模組廠內常見的加嚴慣例(比安規嚴,用來留 drift 空間);耐壓的型式試驗電壓則不是公式能算的,要按絕緣類型與額定工作電壓查標準表格(IEC 62368-1 一類)、再由安全評估確認——常被引用的「2U + 1000」出自已撤銷的 IEC 60950-1,而且屬基本絕緣的基準,不能套在強化絕緣上。三者不是同一個體系的數字,混著寫會出現「用 100 MΩ 的廠內標準去質疑安規的 2 MΩ」這種爭議。
還有一個常被寫漏的項目:固化不完全的判據。雙液膠配比失準或混合不均時,IR 可能只低半個數量級,外觀也正常,但 PI 會接近 1、且硬度偏低。把「IR + PI + 硬度」三個一起卡,比單看 IR 有效得多;配比失準的排查路徑見雙液灌封膠配比失準。
常見問答
Q1:絕緣測試的標準值到底是多少? 沒有單一標準值,它由三個變數決定:工作電壓、絕緣等級(基本/附加/強化)、產品類別。可操作的對照是——家電類安規在 500 VDC 下對基本絕緣的典型門檻是 2 MΩ;電子模組廠內慣例常加嚴到 100 MΩ;耐壓的型式試驗電壓則必須按絕緣類型與額定工作電壓查標準表格(IEC 62368-1 一類),實際值由安全評估確認——「2U + 1000」出自已撤銷的 IEC 60950-1、且屬基本絕緣的基準,不能當成強化絕緣的算法。先把這三件事分開,再談數字。
Q2:絕緣電阻怎麼測才算數? 500 VDC、加壓 60 秒、guard 接地、記錄溫度與濕度、同一樣品做前後對比。四件事缺一件,讀數就不可比。若讀數隨時間下降而不是上升(PI < 1.5),優先懷疑吸濕與表面汙染,而不是「膠不好」。
Q3:絕緣電阻測試的目的是什麼? 兩個:一是狀態判定(這一顆現在是否絕緣良好),二是趨勢監測(同一批在環境試驗前後掉了多少)。耐壓只能回答「有沒有擊穿」,IR 才能回答「離擊穿還有多遠」。
Q4:灌封後絕緣不良,最常見的原因是什麼? 按現場頻率排:① 界面脫層引起的毛細通道(開頭示例情境中的 8 MΩ 即屬此類);② 空洞與尖角造成的局部放電累積;③ 固化不完全或配比失準;④ 灌封前的離子汙染(助焊劑、手汗、脫模劑)。四者的 IR 表現不同:①下降但 PI 正常,②IR 正常但 PD 很大,③IR 低且 PI 接近 1,④IR 低且隨濕度劇烈漂移。
Q5:矽膠吸水比較少,是不是絕緣一定比環氧好? 不是。矽膠的平衡含水率通常較低,但透濕率高、界面黏接力弱,因此「體積吸濕」這一項較好,「界面毛細」這一項較差;環氧相反。選哪一種要看你的失效模式是「膠體吸水」還是「界面脫層」——這也是為什麼驗證要同時量 IR 與做剖切。
向供應商要什麼資料
灌封絕緣的驗證,一半的答案在供應商的資料裡,另一半在自己的量測裡。要資料時,與其要「一份測試報告」,不如要這五項,因為它們決定了你能不能把測試條件對上:
- 體積電阻率(ASTM D257/IEC 62631 系列)與介電強度(ASTM D149/IEC 60243 系列)的測試條件:試片厚度、電壓、升壓率、環境溫濕度。沒有條件的數字無法比較。
- 吸濕資料:平衡含水率、吸水速率、以及吸水後的電性變化(哪怕只有一條曲線)。
- CTI 等級(IEC 60112):決定汙染環境下的表面爬電裕度。
- 界面黏接與脫層的驗證方法:供應商怎麼證明膠與鋁殼、與 PCB 在熱循環後不脫層。
- 固化窗口與玻璃化轉移溫度(Tg):Tg 以上的 CTE 與電性都會變,這是高溫場景的隱藏變數。
把這五項與本文 §8 的六欄表對起來,規格就從「一句話」變成「一組可執行的條件」。反過來,如果你手上只有一支標稱「絕緣性優異」的膠,沒有條件、沒有曲線、沒有界面驗證,那麼再多的耐壓測試也只是在驗一個你無法解釋的數字。
若你要找的是材料本身而不是驗證方法,矽膠灌封膠系列按導熱與非導熱分成幾條產品線,型號、規格與詢價都在產品頁;本文只負責讓你在拿到那些數字時,知道該問什麼、該怎麼驗。
灌封的價值從來不只是「包起來」。NASA 對電子組裝高分子塗覆與灌封的製程標準(NASA-STD-8739.1)把電子組裝上的高分子應用——黏接、塗覆、封裝——列為有明文規範的製程,而不是靠師傅手感的工序。規範寫到這個程度,本身就說明一件事:絕緣的可靠性只能被證明,不能被相信;而工程上,能被證明的東西才值得相信。


