導熱絕緣片

導熱絕緣材料是一種可同時傳導熱量並阻斷電流的薄膜。它位於通電的半導體 (如 TO-220 電晶體、IGBT 模組、MOSFET 晶片) 與接地的散熱器之間，讓廢熱流入散熱器的同時，防止封裝的內部電壓與機殼發生短路。對於這類產品，導熱係數 (W/m·K) 和介電崩潰強度 (kV/mm) 這兩項規格必須一起看才有意義 — 單獨看任何一個數值都沒有意義。

當熱源的安裝片或基板上帶有電壓時，請務必使用 TIS 介電絕緣片。獨立的 TO-220/247 封裝、變頻器中的 IGBT 模組、接地機箱上的射頻功率放大器——除了熱傳導外，都需要電氣隔離。一般的矽膠導熱間隙墊片在高電壓下會導電，可能導致封裝與散熱器短路。反之，如果熱源本身已經隔離（例如，CPU 具有內部晶粒對封裝的隔離），那麼使用 TIF 導熱墊片在每單位成本上可獲得更高的導熱率。

經驗法則是工作電壓的 2 倍，再加上 25 % 的安全裕度，然後根據您的絕緣等級，對照 IEC 60664-1 / 61800-5 的沿面距離和電氣間隙表進行驗證。一個 600 V 的 IGBT 模組通常需要絕緣層厚度上 ≥ 4 kV 的崩潰電壓；而一個 1200 V 的 SiC 模組則需要 ≥ 6 kV。TIS800 系列在 0.30 mm 厚度下可提供高達 6 kV 的崩潰電壓。不要只依賴單一的測試脈衝——對於生產資格認證而言，局部放電和長期老化特性至關重要。

TIS100 是一款通用型的玻璃纖維基材矽膠絕緣片，適用於商用分離式元件的散熱——如 TO-220、TO-247、TO-263——工作電壓在 100–600 V 之間。TIS800 則針對工業級高壓模組：如 IGBT、SiC、電動車牽引逆變器，其工作電壓為 600–1200 V，崩潰電壓為 4–6 kV。TIS300 是一款特殊的導電等級（石墨/鍍鎳），用於結合 EMI 遮蔽和熱傳導，儘管歸於此類別，但它並非介電絕緣體。

可以。大多數 TIS 片材都在離型膜上進行半斷式模切（kiss-cut），並可選配感壓膠（PSA）背膠，以便在模組安裝前以 SMT 方式放置在散熱器上。對於量產工具，外形輪廓的公差通常為 ±0.1 mm，孔位公差為 ±0.05 mm。請提供 DXF 或 STEP 檔案；開模前置時間將依專案報價。帶有 PSA 塗層的零件有規定的儲存期限——請查閱規格書確認。

傳統的雲母墊片提供良好的介電強度和價格，但需要額外塗抹一層導熱膏，且質地脆，在鎖附扭力過大時容易破裂。現代的 TIS 玻璃纖維基材矽膠絕緣片將介電層與內建的表面服貼性整合在一起，無需使用導熱膏，簡化了組裝過程，並在經過熱循環後提供更可重複的熱阻表現。大多數新設計都用 TIS 等級的絕緣片取代了雲母片。